Твердотельный накопитель Samsung 1 ТБ M.2 MZ-V8V1T0BW

+ 4 фото

Тип товара	Твердотельный накопитель
Производитель	Samsung
Гарантия	1 Год
Емкость	1000 ГБ
Назначение	для ноутбука и настольного компьютера
Форм-фактор	M.2 Type 2280
Тип флэш-памяти	V-NAND 3-bit MLC
Игровой	Да
Интерфейс PCI-E	есть
Тип PCI-E	PCI-E 3.0 x4
Разъем M.2	есть
Скорость чтения	3500 МБ/с
Скорость записи	3000 МБ/с
Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ)	480000 IOPS
Суммарное число записываемых байтов (TBW)	600 ТБ
Поддержка секторов размером 4 КБ	ЕСТЬ
Шифрование данных	есть
Поддержка TRIM	есть
Поддержка NVMe	есть
Время наработки на отказ	1500000 ч
Ударостойкость при хранении	1500 G
Макс. рабочая температура	70 °C
Ширина	22.15 мм
Высота	2.38 мм
Длина	80.15 мм
Вес	8 г

Твердотельный накопитель Samsung 1 ТБ M.2 MZ-V8V1T0BW отзывы